来源:光大证券微资讯
你感受到了吗?科技浪潮正以前所未有的速度奔涌!国产存储芯片迎来里程碑式突破,长鑫DDR5新品震撼发布!
11月23日,中国国际半导体博览会(IC China 2025)盛大开幕,长鑫存储携新品登场,瞬间点燃全场焦点。其最新DDR5内存产品在速率与容量上双双登顶业界巅峰,最高速度狂飙至8000 Mbps,颗粒容量更冲至24Gb,性能媲美国际顶尖水准。
不仅如此,长鑫存储更亮出七大模组产品矩阵,战术布局覆盖数据中心、企业级服务器、笔记本电脑等多元场景,展现强大市场穿透力。
2025年下半年以来,存储芯片市场供需两旺,三星电子、SK海力士等巨头连续提价。随着国产存储芯片不断突破,下游行业将迎来更稳定、自主的供应链新时代。
1、国产存储芯片又迎突破,长鑫存储发布DDR5新品
在全球半导体竞技场,存储芯片占据战略核心,AI算力爆发更推高行业景气。
我国作为全球制造高地,长期依赖进口存储芯片,供应链波动频频,自主化迫在眉睫。
历经多年攻坚,长鑫存储、长江存储等国产巨头强势崛起,逐步夺回市场话语权。
本次半导体博览会上,长鑫存储全新DDR5系列产品惊艳亮相,完美诠释“双芯共振,5力全开”主题。
DDR5(双倍数据速率5)作为前沿存储技术,以更高传输速率、更大容量、更低功耗引领潮流。
长鑫存储DDR5新品速率直达8000 Mbps,颗粒容量攀至24Gb,足以与国际巨头正面交锋。
依托硬核科技,长鑫存储推出七大模组,精准布局多场景。数据中心及企业级服务器领域,RDIMM、MRDIMM等模组稳筑基石;个人电脑阵地,UDIMM和SODIMM灵活出击;高算力战场,CUDIMM等模组强势赋能。
10月下旬,长鑫存储在IEEE第十六届国际ASIC会议上宣布LPDDR5X量产,国产高端移动存储实现历史性跨越。其产品覆盖12GB-32GB封装方案,数据传输速率高达10677Mbps,高带宽、低功耗特性完美契合端侧AI大模型需求。
除长鑫存储外,长江存储同样闪耀。自2016年成立,公司全面布局芯片设计、制造、封测及解决方案,3D NAND闪存晶圆与颗粒已广泛应用于消费电子、服务器等关键领域。
2018年,长江存储发布核心技术品牌晶栈Xtacking,国产3D NAND实现重大突破,甚至国际巨头也需尊重其专利壁垒。
2、国际存储芯片巨头不断涨价,行业延续高景气周期
存储器分为RAM(随机存取存储器)和ROM(只读存储器),RAM读写迅捷但断电易失,ROM则用于长期存储。
RAM中的DRAM(动态随机存取存储器)结构简、成本低,是系统运行的关键临时媒介。
11月中旬,三星电子报价“姗姗来迟”,在10月暂停合约后,本月部分芯片价格暴涨30%-60%。其中32GB DDR5内存模块价格猛涨60%至239美元,市场震动。
10月,三星电子、SK海力士等厂商已计划四季度提价,DRAM、NAND涨幅或达30%。部分原厂产品甚至暂停报价,11月涨势超预期。
AIDC大规模建设推高存储芯片需求,供给紧张持续。年内涨价潮涌动,四季度加剧。
近期,三星电子、SK海力士等巨头再度调整报价,DRAM、NAND闪存价格有望攀升30%。
SK海力士作为HBM芯片龙头,已完攻HBM4开发并搭建量产体系。HBM4作为第六代产品,数据传输通道从1024条跃升至2048条,能效提升40%。
三星电子第五代12层HBM3E通过英伟达测试,成为SK海力士、美光后第三家过关者。需求爆棚下,芯片巨头话语权倍增。
Gartner数据显示,2024年全球半导体收入达6260亿美元,存储芯片占25.2%。其中DRAM收入激增75.4%,NAND Flash收入飙升75.7%,两者主导市场。
DRAM市场由三星、SK海力士、美光领衔;NAND Flash市场中,三星、铠侠、西部数据、SK海力士、美光等群雄逐鹿。
根据iFinD金融数据终端,存储芯片概念股包括:中芯国际、北方华创、华虹公司、中微公司、澜起科技、生益科技、深南电路、兆易创新、江波龙等。
(本文首发于2025年11月24日)
李泉
投资顾问执业编号:S0930622070004
基金从业编号:A20211203001155
本文源自:券商研报精选
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长江存储与长鑫存储区别?
长江存储专注NAND闪存,芯片完全自研;长鑫存储主攻DRAM领域。两者技术路径各异,但共同推动国产存储自主化进程。
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长鑫聚焦DRAM,以合肥投资为基;长江存储深耕NAND FLASH,获多方资源加持。两者并驾齐驱,勾勒国产存储双雄格局。
长鑫存储属于哪一家上市公司?
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